ABSTRACT

Ion beam analysis methods (Rutherford backscattering spectrometry, proton backscattering, resonant and non resonant nuclear reaction analysis and forward elastic recoil detection analysis) were used to determine the chemical composition of electronic material samples (porous silicon) with the aim of determining the effectiveness of some treatments applied on the samples. The chemical composition of heavy and light elements as a function of depth was determined in reference (as prepared) untreated samples and in samples treated using sputtering and chemical vapor infiltration and deposition. Chemical vapor infiltration and deposition was found to be more effective in reducing atmospheric ageing of samples.

الملخص

استخدمت الطرق المختلفة لتقانة التحليل بالحزمة الأيونية (طريقة استطارة راذرفورد الخلفية لجسيمات ألفا، الاستطارة الخلفية للبروتونات، طريقة التحليل بالتفاعلات النووية الرنينية وغير الرنينية وطريقة الارتداد الأمامي المرن) لتحديد التركيب الكيميائي لعينات من إحدى المواد الداخلة في الصناعات الإلكترونية) مادة السليكون المسامي (بهدف تحديد جدوى بعض المعالجات التي خضعت لها. وتم تحديد تركيز العناصر الخفيفة والثقيلة كدالة في العمق في عينات مرجعية غير معالجة وعينات تمت معالجتها بطريقة الرش وطريقة الترشيح والترسيب للأبخرة الكيميائية. وأثبتت النتائج جدوى الطريقة الثانية في الحد من ظاهرة التقادم الجوي التي تتعرض لها عينات هذه المادة.